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膜厚測(cè)量?jī)x(測(cè)量厚度1nm~1.8mm)

簡(jiǎn)要描述:膜厚測(cè)量?jī)x(測(cè)量厚度1nm~1.8mm)美國(guó)Semisonsoft公司MProbe系列薄膜測(cè)厚儀測(cè)量厚度可以低至1nm,厚至1.8mm,埃級(jí)分辨率,非接觸式無(wú)損快速測(cè)量。廣泛應(yīng)用在各種生產(chǎn)或研究中,比如測(cè)量薄膜太陽(yáng)能電池的CIGS層,觸摸屏中的ITO層等。大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測(cè)量。

  • 產(chǎn)品型號(hào):MProbe系列
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2021-09-10
  • 訪  問(wèn)  量:3187
詳細(xì)介紹
品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,電子/電池 精度0.01nm或0.01%

膜厚測(cè)量?jī)x(測(cè)量厚度1nm~1.8mm)MPROBE - MAKING THIN FILMS THICKNESS MEASUREMENT EASY

美國(guó)Semisonsoft公司MProbe系列薄膜測(cè)厚儀測(cè)量厚度可以低至1nm,厚至1.8mm,埃級(jí)分辨率,非接觸式無(wú)損快速測(cè)量。廣泛應(yīng)用在各種生產(chǎn)或研究中,比如測(cè)量薄膜太陽(yáng)能電池的CIGS層,觸摸屏中的ITO層等。大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測(cè)量

 

測(cè)量原理:當(dāng)規(guī)定波長(zhǎng)范圍的光照射到薄膜上時(shí),從不同界面上反射的光相位不同,從而引起干涉導(dǎo)致強(qiáng)度相長(zhǎng)或相消。而這種強(qiáng)度的振蕩是與薄膜的結(jié)構(gòu)相關(guān)的。通過(guò)對(duì)這種振蕩擬合和傅里葉變換就可獲得樣品厚度和相關(guān)的光學(xué)常數(shù)。

 

比如:

半導(dǎo)體(硅,單晶硅,多晶硅)

半導(dǎo)體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS)

微電子機(jī)械(MEMS)

氧化物/氮化物

光刻膠

硬涂層(碳化硅,類金剛石炭)

聚合物涂層(聚對(duì)二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)

高分子聚合物

 

MProbe膜厚測(cè)量?jī)x(測(cè)量厚度1nm~1.8mm)操作簡(jiǎn)單,只需一鍵操作即可獲得樣品的厚度、折射率(n, k)和表面粗糙度等信息,膜厚測(cè)量設(shè)備可支持不同光譜范圍,光譜范圍可達(dá)200-1700nm,因此可測(cè)量厚度范圍可從1nm到2mm。 設(shè)備中無(wú)移動(dòng)組件,所以測(cè)量結(jié)果幾乎是即時(shí)得到的;TFCompanion測(cè)量軟件使得測(cè)量過(guò)程非常簡(jiǎn)單且透明,測(cè)量歷史、動(dòng)態(tài)測(cè)量、模擬、顏色分析、直接在樣品圖像上顯示結(jié)果。

 

膜厚測(cè)量?jī)x分類:

 

1、單點(diǎn)膜厚測(cè)量——MPROBE-20

MPROBE-20膜厚測(cè)量?jī)x是一款臺(tái)式單點(diǎn)膜厚測(cè)量設(shè)備,設(shè)備操作簡(jiǎn)單,一鍵獲得樣品的厚度和折射率,并可提供不同波段范圍(適用于不同厚度薄膜)選擇。MPROBE-20具有以下幾種型號(hào),客戶可根據(jù)自己所需的波長(zhǎng)范圍和薄膜厚度進(jìn)行選擇。

可供選擇型號(hào):

型號(hào)

波長(zhǎng)范圍

核心配置

厚度范圍

VIS

200nm -1100nm

F3 Ariel Spectrometer, 2048/4096 pix cmos,  16 bit ADC, 5W Tungsten-Halogen lamp

10nm – 75 μm

UVVISSR

700nm -1100nm

F4 Spectrometer, 2048 pix (backthinned),16 bit ADC 20W TH lamp, 30W Deuterium short-ark lamp

1nm -75μm

VIS-HR

900nm-1700nm

F4 Spectrometer, 2048 pix (backthinned),16 bit ADC, 5W TH lamp

1μm-400μm

NIR

200nm-800nm

F4 spectrometer, InGaAs detector 512 pix., 16 bit ADC, 5W TH lamp

50nm – 85μm

UVVisF

200nm -1700nm

F4 spectrometer, Si detector 2048 pixels ccd, 16 bit ADC, 10W Xe flash lamp

1nm – 5μm

UVVISNIR

1500nm-1550nm

F4 Spectrometer, 2048pix (backthinned),16 bit ADC 20W TH lamp, 30W Deuterium short-ark lamp. F4spectrometer, InGaAs detector 512 pix., 16 bit ADC, 5W TH lamp

1nm -75μm

NIRHR

200nm -1100nm

F4 spectrometer, InGaAs detector 512 pix., 16 bit ADC, 5W TH lamp or SLDoption

10μm-1800μm (glass)4μm-400μm (Si)

 

2、單點(diǎn)手持膜厚測(cè)量——MPROBE HC

MPROBE HC膜厚測(cè)量?jī)x是一款基于MPROBE-20平臺(tái)開(kāi)發(fā)專用于測(cè)量曲面和大型零件上的涂層,用手動(dòng)探針代替樣品臺(tái)。

 

主要參數(shù):

精度

0.01nm或0.01%

準(zhǔn)確度

0.2%或1nm

穩(wěn)定性

0.02nm或0.03%

聚焦點(diǎn)尺寸

0.2mm或0.4mm

樣品尺寸

>25mm

厚度范圍

0.05-70um

 

3、聚焦光斑膜厚測(cè)量?jī)x——MPROBE 40

MPROBE 40是一款聚焦的小光斑膜厚測(cè)量系統(tǒng),該產(chǎn)品將顯微系統(tǒng)和膜厚測(cè)量設(shè)備結(jié)合起來(lái),用于對(duì)膜厚的微區(qū)測(cè)量,光斑可達(dá)2μm。該設(shè)備集成相機(jī)和軟件,可精確顯示待測(cè)位置,并同時(shí)顯示測(cè)量結(jié)果。

該設(shè)備有不同波長(zhǎng)范圍可選,可供選擇的產(chǎn)品型號(hào)如下:

 

4、原位測(cè)量膜厚測(cè)量?jī)x——MPROBE 50 INSITU

MPROBE 50 INSITU是一款支持原位測(cè)量膜厚測(cè)量?jī)x,該設(shè)備采用門控?cái)?shù)據(jù)采集方式因此可以在高環(huán)境光的條件下工作。此外該型號(hào)膜厚測(cè)量?jī)x支持定制以滿足不同形狀的真空腔。根據(jù)可用的光學(xué)窗口,支持斜入射和垂直入射。光線可以聚焦樣品表面或準(zhǔn)直,探測(cè)探頭可以放置在沉積室光學(xué)端口內(nèi)部或外部,由于該膜厚測(cè)量?jī)x沒(méi)有移動(dòng)部件,通常測(cè)量時(shí)間約10ms。

 

 

此外該型號(hào)還有多種波段范圍可選,可供選擇型號(hào)如下

 

5、支持Mapping的聚焦膜厚測(cè)量?jī)x——MPROBE 60

MPROBE 60是一款聚焦并可做mapping的膜厚測(cè)量設(shè)備,重復(fù)精度可達(dá)0.01nm,精度可達(dá)1nm,mapping面積可達(dá)300*300mm。并支持多種波長(zhǎng)范圍可選。

可選波長(zhǎng)型號(hào):

 

6、在線膜厚測(cè)量?jī)x——MProbe 70

MProbe 70是一款高性能膜厚測(cè)量?jī)x,主要設(shè)計(jì)用于24/7生產(chǎn)線上的連續(xù)測(cè)量。該設(shè)備主要有兩種配置一個(gè)是在產(chǎn)線上配備多個(gè)固定的探頭,第二種是將探頭裝在掃描儀上掃描。

 

 

 

 

 

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